5.2.4. 寄存器列表

表 5.1 SID 寄存器地址映射表
Module Name	Mapping Size	Offset
SID	768 B	0x000

表 5.2 SID 寄存器列表
Register Name	Offset	Description
EFUSE_CTL	0x000	eFuse控制（eFuse Control）
EFUSE_ADDR	0x004	eFuse地址（eFuse Address）
EFUSE_WDATA	0x008	eFuse写数据（eFuse Write Data）
EFUSE_RDATA	0x00C	eFuse读数据（eFuse Read Data）
EFUSE_TIMING	0x010	eFuse时序（eFuse Timing）
EFUSE_PWR_CTL	0x014	eFuse电源控制（eFuse Power Control）
WAFER_ID	0x018	晶圆ID（Wafer ID）
EFUSE_TIMING_HIGH	0x020	eFuse时序（eFuse Timing）
BROM_PRIV	0x080	BROM特权（BROM Privilege）
SID_VER	0x0FC	SID版本（SID Version）
EFUSE_DATA	0x200~0x23F	eFuse数据（eFuse Data）

5.2.5. 寄存器描述

默认值：0x00000200			eFuse控制（eFuse Control）
位域	类型	默认值	描述
31:29	-	-	-
28	R/W	0x0	BROM_PRIV_LOCK BROM特权锁，特权包括： JTAG 解锁功能可使能 0: BROM 特权可用，软件可以使用相关特权功能 1: BROM 特权关闭，软件无法使用相关特权功能该位一旦写1后在下次 POR 之前无法清零； BROM中会配置该位为1，确保相关特权功能仅在 BROM 中可用，其他软件无法更改。
27:16	WO	0x0	EFUSE_OP_CODE eFuse操作码防止误操作使用，设置为0xA1C允许eFuse读写操作
15:12	-	-	-
11:8	RO	0x2	EFUSE_STATUS eFuse状态机状态 1: 开机自动读取中 2: 空闲中 4: 烧录中 8: 读取中该字段为异步设计，开机自动读取结束状态查询该字段为2，写结束状态建议查询EFUSE_WRITE_START，读结束状态建议查询EFUSE_READ_START
7:5	-	-	-
4	R/WAC	0x0	EFUSE_READ_START eFuse读启动寄存器 0: 无操作 1: 启动eFuse读操作写该位需要将EFUSE_OP_CODE=0xA1C同时写入，该位写1启动eFuse读取，读取完该位自动清零。
3:1	-	-	-
0	R/WAC	0x0	EFUSE_WRITE_START eFuse写启动寄存器 0: 无操作 1: 启动eFuse写操作写该位需要将EFUSE_OP_CODE=0xA1C同时写入，写1启动eFuse烧写，烧写完该位自动清零；期间会自动开关LDO，无需配置开关LDO。

默认值：0x00000000			eFuse地址（eFuse Address）
位域	类型	默认值	描述
31:7	-	-	-
6:0	R/W	0x0	EFUSE_ADDR eFuse读写地址寄存器该地址为全4Kbit空间读写，以BYTE为单位，由于读写操作按照32位进行，低两位需配置为0。

默认值：0x00000000			eFuse写数据（eFuse Write Data）
位域	类型	默认值	描述
31:0	R/W	0x0	EFUSE_WDATA eFuse写数据寄存器注意eFuse为单次烧写，默认未烧写时候为0，烧写为1后无法再变回为0 该字段对应的bits为1，则对应进行烧写，对应的bits为0即不进行烧写， 32bits可以分多次针对不同bits进行烧写

默认值：0x00000000			eFuse读数据（eFuse Read Data）
位域	类型	默认值	描述
31:0	RO	0x0	EFUSE_RDATA eFuse读数据寄存器

默认值：0x04021ff1			eFuse时序（eFuse Timing）
位域	类型	默认值	描述
31:24	R/W	0x04	TAEN_RD 单次读数据处理时间所占的时钟周期数使用默认值0x04
23:16	R/W	0x02	TRD 单次读数据时高电平所占的时钟周期数使用默认值0x02
15:8	R/W	0x1f	TAEN_PGM 单次写数据处理时间所占的时钟周期数以EFUSE_TIMING_HIGH寄存器的[8][9]位为高位与该值进行拼接得到正确值例如TAEN_PGM正确默认值为0x11f 使用默认值0x1f
7:0	R/W	0xf1	TPGM 单次写数据时高电平所占的时钟周期数以EFUSE_TIMING_HIGH寄存器的[0][1]位为高位与该值进行拼接得到正确值例如TPGM正确默认值为0x0f1 使用默认值0xf1

默认值：0x00000C04			eFuse电源控制（eFuse Power Control）
位域	类型	默认值	描述
31:16	-	-	-
15:8	R/W	0xC	VCC_EFUSE_DLY
7:5	-	-	-
4	R/W	0x0	PWR_EN_FORCE 0：硬件自动使能 1：软件强制使能注意配置为0时由硬件自动使能，硬件使能时序可由PWR_EN_DLY字段控制
3:0	R/W	0x4	PWR_EN_DLY 注意最大有效值为0xE,设置为0xF等同于0xE 实际延迟为VCC_EFUSE_DLY×2×(PWR_EN_DLY+1)

默认值：0x00000100			eFuse时序（eFuse Timing）
位域	类型	默认值	描述
31:10	-	-	-
9:8	R/W	0x1	TAEN_PGM 单次写数据处理时间所占的时钟周期数以EFUSE_TIMING寄存器的[15]-[8]位为低位与该值进行拼接得到正确值例如TAEN_PGM正确默认值为0x11f 使用默认值0x1
7:2	-	-	-
1:0	R/W	0x0	TPGM 单次写数据时高电平所占的时钟周期数以EFUSE_TIMING寄存器的[7]-[0]位为低位与该值进行拼接得到正确值例如TPGM正确默认值为0x0f1 使用默认值0x0

默认值：0x00000102			SID版本（SID Version）
位域	类型	默认值	描述
31:0	RO	0x00000102	VERSION 模块版本

默认值：0x00000000			eFuse数据（eFuse Data）
位域	类型	默认值	描述
31:0	RO	0x0	EFUSE_DATA eFuse 数据芯片上电复位，会将eFuse值同步到该区域配置寄存器发起读操作，也会将eFuse值同步到该区域