7.2.2. 功能描述
7.2.2.1. EPHY LED
EPHY LED,支持将合封EPHY芯片的LEDIN输入做反向,同时支持将两路LED合并使用单GPIO控制。
单GPIO双LED模式参考电路如下,优先推荐采用串联接法,适用于常用绿灯和橙灯导通电压为1.7V以上。 当绿灯和橙灯导通压降和不足3.3V时,需要采用并联接法。
GPIO控制逻辑如 图 7.3 所示, 前半周期对应于LED0,针对LED0状态输出为高阻或低电平; 后半周期对应于LED1,针对LED1状态输出为高阻或高电平。
7.2.2.2. CALI RES
校准电阻结构如 图 7.4 ,由 Rb和Rc两部分并联实现
Rb 基准电阻:提供固定阻值。
Rc 校准电阻:提供可配置的电阻值,通过改变CAL_VAL改变电阻值,Rc计算公式如下表所示。
- |
- |
CAL_VAL |
Rb阻值Ω |
Rc阻值Ω |
Rb//Rc阻值Ω |
||
---|---|---|---|---|---|---|---|
模块 |
需求阻值Ω |
默认值 |
理论 |
计算公式 |
理论默认值 |
计算公式 |
理论默认值 |
DDR |
240 |
54 |
320.36 |
51257.7/CAL_VAL |
949 |
Rb*Rc/(Rb+Rc) |
240 |
USB |
200 |
96 |
320.36 |
51257.7/CAL_VAL |
534 |
Rb*Rc/(Rb+Rc) |
200 |
EPHY |
2490 |
18 |
3203.6 |
205038/CAL_VAL |
11391 |
Rb*Rc/(Rb+Rc) |
2500 |
7.2.2.3. PSEN
PSEN (Process Sensor,工艺传感器),用于监测制造工艺下数字电路的频率范围,典型应用如下:
CP测试阶段,根据PSEN进行分BIN操作,典型如分CPU 1GHz和800MHz两种DIE。
方案应用阶段,根据PSEN来进行调频调压,达到降低功耗的目的。
PSEN工作流程如下,参考 图 7.5:
软件配置好测试参数(RO_SEL, CNT_TIME),打开测试(PSEN_EN=1)。
PSEN_EN=1触发数字电路打开RO_EN,模拟电路RO开始振荡工作起来,并进行16分频得到低频时钟,用于数字电路计数。
数字电路打开RO_EN后延迟打开CNT_EN,CNT开始计数,CNT_TIME时间后,自动关闭CNT_EN,并延时关闭RO_EN,将PSEN_EN清零表示测试完成。
软件检测到PSEN_EN清零后,读取CNT_VAL值为当前PSEN的速度。
软件重复①~④测试更多的RO。