2. 电气特性

2.1. 运行条件

2.1.1. 最大极限值

  • 电气参数最大极限值列表如下表所示：

表 2.1 电气参数最大极限值

符号

描述

最小值

最大值

单位

Tstg

储存温度

-40

125

°C

VCC33_IO0

GPIOA/GPIOB/GPIOE电源

-0.3

3.6

V

VCC33_IO1

GPIOC/GPIOD/GPIOF电源

-0.3

3.6

V

RTC_VCOIN

RTC电源

-0.3

3.6

V

VCC30_ANA

模拟部分电源

-0.3

3.6

V

LDO25

2.5V LDO 输出

-0.3

2.75

V

LDO1X

LDO1X输出

-0.3

1.85

V

VCC_DRAM

DRAM电源

-0.3

1.85

V

VDD11_SYS

内核及系统电源

-0.3

1.32

V

Iio

IO输入输出电流

-50

50

mA

2.1.2. 建议运行条件

  • 电气参数建议值如 表 2.2 所示：

表 2.2 电气参数建议值

符号

描述

最小值

典型值

最大值

单位

Ta

环境温度

-20

85

°C

VCC33_IO0

GPIOA/GPIOB/GPIOE电源

2.7

3.3

3.6

V

VCC33_IO1

GPIOC/GPIOD/GPIOF电源

2.7

3.3

3.6

V

RTC_VCOIN

RTC电源

2.7

3.0

3.6

V

VCC30_ANA

模拟部分电源

2.8

3.0

3.15

V

LDO25

2.5V LDO 输出

2.45

2.5

2.6

V

LDO1X

LDO1X输出

1.35

1.5/1.8

1.85

V

VCC_DRAM

DRAM电源

1.35

1.5/1.8

1.85

V

VDD11_SYS

内核及系统电源

0.9

1.1/1.2

1.32

V

2.2. RTC 供电

  • RTC供电来源于VCC33-IO1和VCOIN，内部电路自动检测VCC33-IO1和VCOIN电压，并采用电压高的那一路供电。

    • 开机下：VCC33-IO1为3.3V，VCOIN接纽扣电池典型为3.0V，则采用VCC33-IO1供电

    • 关机下：VCC33-IO1未供电，VCOIN接纽扣电池典型为3.0V，则采用VCOIN供电

表 2.3 关机RTC功耗数据

供电

最小值

典型值

最大值

单位

RTC_VCOIN 3.0V

-

2.8

-

uA

2.3. 上下电时序及复位

2.3.1. 上下电时序

VCC33和VDD11无上下电时序要求。

2.3.2. 复位源

  • 芯片系统有5种复位源，以下任何一种复位条件成立，会对芯片产生复位：

    • SYS上电复位：在VCC33-IO0上电后产生复位，上电10ms内系统自动放开此复位

    • RTC上电复位：在RTC上电后（供电来源VCC33-IO1和VCOIN）自动完成复位

    • 外部引脚复位：引脚SYS_RST输入低电平并持续2ms以上产生复位

    • 看门狗复位：在WDOG超时复位条件满足下立即产生复位

    • 调试器复位：在接收到JTAG IO上的RESET命令后立即产生复位

2.4. 内置LDO电气特性

2.4.1. LDO30

  • 内置LDO30(VCC30_ANA)，用于系统模拟及GPADC/PSADC/Audio ADC供电，其电气特性描述如 表 2.4 所示：

表 2.4 LDO30 电气特性

符号

描述

最小值

典型值

最大值

单位

Vo

输出电压

2.95

3.00

3.05

V

Io

输出电流

-

-

100

mA

Co

外部去耦电容

-

0.1

-

uF

2.4.2. LDO25

  • 内置LDO25，用于DDR PHY和EFUSE供电，其电气特性描述如 表 2.5 所示：

表 2.5 LDO25 电气特性

符号

描述

最小值

典型值

最大值

单位

Vo

输出电压

2.45

-

2.55

V

Io

输出电流

-

-

50

mA

Co

外部去耦电容

-

0.1

-

uF

2.4.3. LDO1x

  • 内置LDO1x，用于DDR IO和合封DDR颗粒供电，其电气特性描述如 表 2.6 所示：

表 2.6 LDO1x 电气特性

符号

描述

最小值

典型值

最大值

单位

Vo

输出电压

1.35

-

1.85

V

Io

输出电流

-

-

500

mA

Co

外部去耦电容

-

0.1

-

uF

2.5. 时钟

2.5.1. 外部时钟源

  • 32.768kHz 时钟用于低频及RTC。

  • 24.000MHz 时钟用于产生主时钟。

符号

描述

最小值

典型值

最大值

单位

OSC_24M

PLL时钟源

-

24

-

MHz

OSC_32K

RTC时钟源

-

32768

-

Hz

2.5.2. 内部PLL时钟特性

内部PLL用于产生时钟供给整个芯片，总共5个PLL, 用途及特性如 表 2.7 所示。

表 2.7 CMU PLL 用途及特性

名称

用途

典型频率

展频或小数分频

PLL_INT0

CPU

600MHz @ 1.2V

不支持

PLL_INT1
AXI/AHB/APB/
CE/DE/GE/VE/DVP/PWMCS/UART

1.2GHz

不支持

PLL_FRA0

DRAM/SDMC/SPI

1008MHz

展频

PLL_FRA1

I2S/AUDIO
491.52MHz
451.584MHz

小数分频

PLL_FRA2

LCD/LVDS/MIPI_DSI

展频

2.6. IO电气特性

2.6.1. IO DC 特性

  • GPIO DC 电气特性描述如 表 2.8 所示：

表 2.8 GPIO DC 电气特性

符号

描述

最小值

典型值

最大值

单位

VIH

高电平输入电压

0.7*VCC33_IO

-

VCC33_IO+0.3

V

VIL

低电平输入电压

-0.3

-

0.3*VCC33_IO

V

RPU

上拉电阻

-

33

-

KΩ

RPD

下拉电阻

-

33

-

KΩ

IIH

高电平输入电流

-

-

10

uA

IIL

低电平输入电流

-

-

10

uA

VOH

高电平输出电压

VCC33_IO-0.3

-

VCC33_IO

V

VOL

低电平输出电压

0

-

0.3

V

IOH

高电平驱动能力

8

-

60

mA

IOL

低电平驱动能力

8

-

60

mA

IOZ

三态输出漏电流

-10

-

10

uA

CIN

输入电容

-

-

5

pF

COUT

输出电容

-

-

5

pF

2.6.2. IO AC 特性

  • GPIO AC 电气特性描述如 表 2.9 所示：

表 2.9 GPIO AC 电气特性

符号

描述

测试条件

最小值

典型值

最大值

单位

fmax

最大频率

负载6pF

-

-

150

MHz

tr

上升时间

VOL到VOH时间

-

-

1.6

ns

tf

下降时间

VOH到VOL时间

-

-

1.6

ns

2.7. 时序参数

2.7.1. 各模块工作频率

表 2.10 各模块工作频率

模块

最小值

典型值

最大值

单位

RGB

-

-

200

MHz

LVDS

-

-

700

MHz

DSI

-

-

1000

MHz

DVP

-

-

150

MHz

SDC0

-

-

50

MHz

SDC1

-

-

50

MHz

SDC2

-

-

50

MHz

QSPI

-

-

100

MHz

PWM

-

-

50

MHz

2.7.2. 显示接口时序

../_images/lcd_prgb_signal.png

图 2.1 prgb时序

  • LVDS支持Single Link和Dual Link，时序如 图 2.2 所示：

../_images/lvds_format.png

图 2.2 lvds时序

  • MIPI-DSI支持Video模式（包括Burst模式、Sync Pulse模式和Sync Event模式）如 图 2.3 所示和Command模式如 图 2.4 所示

../_images/dsi_burst.png

图 2.3 Video burst模式

../_images/dsi_cmd.png

图 2.4 command模式