5.3.4. 寄存器描述

5.3.4.1. 0x0000 EFUSE_CTL

默认值：0x00000200			eFuse控制（eFuse Control）
位域	类型	默认值	描述
31:29	-	-	-
28	R/W	0x0	BROM_PRIV_LOCK BROM特权锁，特权包括： eFuse NV CNTR 区域可写； JTAG 解锁功能可使能； eFuse SSK 的 CE 运算结果可输出到 SRAM。 0: BROM 特权可用，软件可以使用相关特权功能 1: BROM 特权关闭，软件无法使用相关特权功能该位一旦写1后在下次 POR 之前无法清零。 BROM中会配置该位为1，确保相关特权功能仅在 BROM 中可用，其他软件无法更改。
27:16	WO	0x0	EFUSE_OP_CODE eFuse操作码为防止误操作，设置为写入0xA1C后允许eFuse进行读写操作
15:12	-	-	-
11:8	RO	0x2	EFUSE_STATUS eFuse状态机状态 1: 开机自动读取中 2: 空闲中 4: 烧录中 8: 读取中该字段为异步设计，开机自动读取结束状态查询该字段为2，写结束状态建议查询EFUSE_WRITE_START，读结束状态建议查询EFUSE_READ_START。
7:5	-	-	-
4	R/WAC	0x0	EFUSE_READ_START eFuse读启动寄存器 0: 无操作 1: 启动eFuse读操作写该位需要与EFUSE_OP_CODE=0xA1C同时写入，该位写1启动eFuse读取，读取完该位自动清零。
3:1	-	-	-
0	R/WAC	0x0	EFUSE_WRITE_START eFuse写启动寄存器 0: 无操作 1: 启动eFuse写操作写该位需要与EFUSE_OP_CODE=0xA1C同时写入，写1启动eFuse烧写，烧写完该位自动清零。期间会自动开关LDO，无需配置开关LDO。

默认值：0x00000000			eFuse地址（eFuse Address）
位域	类型	默认值	描述
31:9	-	-	-
8:0	R/W	0x0	EFUSE_ADDR eFuse读写地址寄存器该地址为全4Kbit空间读写，以BYTE为单位，由于读写操作按照32位进行，低两位需配置为0。

默认值：0x00000000			eFuse写数据（eFuse Write Data）
位域	类型	默认值	描述
31:0	R/W	0x0	EFUSE_WDATA eFuse写数据寄存器注意eFuse为单次烧写，默认未烧写时候为0，烧写为1后无法再变回为0 该字段对应的bits为1，则对应进行烧写，对应的bits为0即不进行烧写， 32bits可以分多次针对不同bits进行烧写

默认值：0x00000000			eFuse读数据（eFuse Read Data）
位域	类型	默认值	描述
31:0	RO	0x0	EFUSE_RDATA eFuse读数据寄存器

默认值：0x00000C04			eFuse电源控制（eFuse Power Control）
位域	类型	默认值	描述
31:16	-	-	-
15:8	R/W	0xC	VCC_EFUSE_DLY
7:5	-	-	-
4	R/W	0x0	PWR_EN_FORCE 0：硬件自动使能 1：软件强制使能注意配置为0时由硬件自动使能，硬件使能时序可由PWR_EN_DLY字段控制
3:0	R/W	0x4	PWR_EN_DLY 注意最大有效值为0xE,设置为0xF等同于0xE 实际延迟为VCC_EFUSE_DLY×2×(PWR_EN_DLY+1)

默认值：0x00000100			SID版本（SID Version）
位域	类型	默认值	描述
31:0	RO	0x00000100	VERSION 模块版本