7.2.2. 功能描述

7.2.2.1. LDO1x 默认状态

LDO1x 可调范围为 0.90V~1.90V，不同封装芯片表现有两个用途：

• SoC CORE供电，默认为打开

• SoC 外设供电，默认为关闭

为了区分 LDO1x 默认状态，通过模拟PAD LDO1x_EN悬空或者打线到地做区分，由模拟电路在3.3V电源域实现。

用途	PAD_LDO1x_EN
CORE供电（默认打开）	悬空（内部已上拉）
外设供电（默认关闭）	打线到地

7.2.2.2. CALI RES

校准电阻结构如 图 7.4 ，由 Rb和Rc两部分并联实现

• Rb 基准电阻：提供固定阻值

• Rc 校准电阻：提供可配置的电阻值，通过改变CAL_VAL改变电阻值，Rc计算公式如下表所示。

图 7.4 校准电阻

-	-	CAL_VAL	Rb阻值Ω	Rc阻值Ω		Rb//Rc阻值Ω
模块	需求阻值Ω	默认值	理论	计算公式	理论默认值	计算公式	理论默认值
USB	200	96	320.36	51257.7/CAL_VAL	534	Rb*Rc/(Rb+Rc)	200

7.2.2.3. PSEN

PSEN (Process Sensor，工艺传感器)，用于监测制造工艺下数字电路的频率范围，典型应用如下：

• CP测试阶段，根据PSEN进行分BIN操作，典型如分CPU 1GHz和800MHz两种DIE；

• 方案应用阶段，根据PSEN来进行调频调压，达到降低功耗的目的

PSEN工作流程如下，参考 图 7.5：

1. 软件配置好测试参数(RO_SEL, CNT_TIME),打开测试(PSEN_EN=1)

2. PSEN_EN=1触发数字电路打开RO_EN，模拟电路RO开始振荡工作起来，并进行16分频得到低频时钟，用于数字电路计数

3. 数字电路打开RO_EN后延迟打开CNT_EN，CNT开始计数，CNT_TIME时间后,自动关闭CNT_EN,并延时关闭RO_EN，将PSEN_EN清零表示测试完成

4. 软件检测到PSEN_EN清零后，读取CNT_VAL值为当前PSEN的速度；

5. 软件重复①~④测试更多的RO#.

图 7.5 PSEN工作流程

7.2.2.4. FLASH_CFG

芯片内部合封了FLASH，对合封的FLASH进行烧写和读写访问，通过FLASH_CFG子模块实现。

FLASH_CFG如 图 7.6 ，包含了SRCSEL和PINMAP两个模块。

SRCSEL用于选择控制来源，有以下三种控制源：

• SPI0

• SPI1

• PINMUX：主要用于进行FLASH裸片烧录

PINMAP用于对引脚进行映射，兼容各种FLASH DIE的出PIN，分为两组，每组3个引脚：

• PINMAP_012: WP MISO CS -> PIN0 PIN1 PIN2

• PINMAP_345: HOLD SCLK MOSI -> PIN3 PIN4 PIN5

图 7.6 FLASH_CFG 框图